Dos Diodos de Switcheo de Silicio, ElǸctricamente Independientes, de 35 Volt, 100 mA, SMD TO-253-4

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Caracter??sticas Principales

  • Dos elementos elǸctricamente independientes incorporados
  • Capacitancia peque??a en diodos
  • Baja resistencia dinǭmica hacia adelante
  • ??ptimos para un cambio de banda del sintonizador

Especificaciones ElǸctricas

  • Voltaje inverso: 35 V
  • Corriente directa: 100 mA (individual), 75 mA (doble)
  • Temperatura operaci??n: -25 a +85 ??C
  • Temperatura almacenamiento: -55 a +100 ??C

Especificaciones ElǸctricas Detalladas

  • Voltaje directo: 1.0 V (a 100 mA)
  • Corriente inversa: 100 nA (a 33 V)
  • Capacitancia diodo: 1.2 pF (a 6 V, 1 MHz)
  • Resistencia dinǭmica directa: 0.65 ׸ (a 2 mA, 100 MHz)
  • Resistencia dinǭmica directa: 0.98 ׸ (a 2 mA, medici??n alternativa)

Caracter??sticas F??sicas

  • Paquete: Mini4-G1 (TO-253-4)
  • Marca: SYSCOM
  • Modelo: MA4X86200LCTND
  • Conformidad: RoHS Directive (EU 2002/95/EC)
Aplicaciones T??picas
  • Sintonizadores de banda
  • Circuitos de conmutaci??n de RF
  • Equipos de comunicaci??n
  • Instrumentos de medici??n
Condiciones Mǭximas
  • Temperatura ambiente: -25 a +85 ??C
  • Temperatura almacenamiento: -55 a +100 ??C
  • Voltaje de operaci??n: Hasta 35 V
  • Corriente de operaci??n: Hasta 100 mA
Precauciones de Uso
  • Cumplir con las normas de seguridad elǸctrica
  • Evitar sobrepasar los l??mites mǭximos de voltaje y corriente
  • Considerar dise??o redundante en aplicaciones cr??ticas
  • Proteger contra descargas electrostǭticas (ESD)

Descripci??n TǸcnica

Diodos de conmutaci??n de silicio epitǭxico planar tipo MA4X862 (MA862), dise??ados espec??ficamente para aplicaciones de cambio de banda en sintonizadores. El paquete Mini4-G1 (TO-253-4) contiene dos elementos elǸctricamente independientes, permitiendo configuraciones duales en un solo componente. Con una capacitancia diodo de 1.2 pF a 6V y baja resistencia dinǭmica hacia adelante (0.65 ׸ a 2 mA, 100 MHz), estos diodos ofrecen un rendimiento estable en aplicaciones de RF.

La construcci??n de silicio epitǭxico planar proporciona una alta confiabilidad y estabilidad tǸrmica, con una temperatura operativa de -25 a +85 ??C. La baja capacitancia y resistencia dinǭmica permiten una conmutaci??n rǭpida y eficiente, ideal para circuitos de selecci??n de banda en equipos de comunicaci??n y medici??n.

SKU: MA4X86200LCT-ND Categoría: Etiquetas: , ,

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